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一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體
掛牌價格:
免費
專利類型:
發(fā)明專利
專利號:
CN202011222874.3
專利權人:
新鄉(xiāng)醫(yī)學院
授權公告日:
2022年07月01日
到期時間:
2040年11月05日
許可期限:
許可期限屆滿日2025年12月31日
應用領域:
G-物理
許可范圍:
全國
掛牌屆滿日:
2025年12月31日
安全保障
交易保障
完善的資金保障體系確保買賣雙方資金安全。
專業(yè)團隊
專業(yè)技術經(jīng)紀人全程服務跟進,確保對接流暢。
快速響應
專業(yè)客服貼心服務,快速響應客戶需求。
售后無憂
資質過硬,國家級技術轉移服務平臺,售后無憂。
詳細介紹
本發(fā)明的目的是提供一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體,提供更高的靈敏度和綜合反應靈敏度的品質因子,包括紅外石墨烯基窄帶吸收單元,紅外石墨烯基窄帶吸收單元包括從上到下位的電介質層、緩沖電介質層、石墨烯薄膜、高折射率納米腔超表面、金屬基底,所述高折射率納米腔超表面的上端面向下開設有孔,孔中填充與電介質層相同的電介質,由于該結構的反射譜寬度0.5 nm,諧振位置吸收率高達97%,所以該結構有助于設計高靈敏度折射率傳感器,其中,頂部電介質層作為第一個通道,高折射率納米腔超表面的納米深孔陣列作為第二個通道,結果表明該傳感器的靈敏度可達500 nm/RIU,綜合反應靈敏度的品質因子高達1000/RIU,優(yōu)于現(xiàn)有技術。
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